Контактная информация
Будни: 09:00-18:30 МСК

STGB19NC60KDT4

Производитель
STMicroelectronics
Страна бренда
Швейцария
Категория
Полупроводниковый модуль
Тип
БТИЗ
Вид (Полупроводники)
IGBT
Монтаж
SMT
Ток коллектора, А
20
Корпус (Полупроводники)
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер, В
600
Мощность, Вт
125
Срок гарантии (мес.)
12
Артикул: STGB19NC60KDT4
Производитель: STMicroelectronics
IGBT модуль, 20А, 600В, 125Вт, с защитой от короткого замыкания
120.63 руб.
/шт
от 1 до 9 шт
120.63 руб./шт
от 10 до 29 шт
102.87 руб./шт
от 30 до 99 шт
94 руб./шт
от 100 до 499 шт
84.83 руб./шт
от 500 до 999 шт
77.03 руб./шт
от 1000 шт
71.47 руб./шт
В корзину
Допоставка: 2684 шт за 3 недели
Код для заказа: 748291_39
Описание
Полупроводниковый модуль БТИЗ STGB19NC60KDT4 от STMicroelectronics представляет собой IGBT-транзистор с монтажом SMT. Устройство обладает током коллектора 20 А, напряжением коллектор-эмиттер 600 В и мощностью 125 Вт, что обеспечивает высокую эффективность в силовой электронике. Корпус D2PAK гарантирует удобство установки и надежность. Область применения включает преобразователи, инверторы и системы управления двигателями. Артикул STGB19NC60KDT4 подтверждает соответствие стандартам качества. Гарантия 12 месяцев.
Характеристики