* Изображения носят ознакомительный характер, внешний вид товара может отличаться.
Производитель |
STMicroelectronics |
Страна бренда |
Швейцария |
|
Категория
|
Полупроводниковый модуль |
|
Тип
|
БТИЗ |
|
Вид (Полупроводники)
|
IGBT |
|
Монтаж
|
SMT |
|
Ток коллектора, А
|
20 |
|
Корпус (Полупроводники)
|
D2PAK |
|
Напряжение коллектор-эмиттер, В
|
600 |
|
Мощность, Вт
|
125 |
|
Срок гарантии (мес.)
|
12 |
Артикул: STGB19NC60KDT4
Производитель: STMicroelectronics
Производитель: STMicroelectronics
IGBT модуль, 20А, 600В, 125Вт, с защитой от короткого замыкания
Все характеристики
Документация
Допоставка (внешние склады)
Описание
Полупроводниковый модуль БТИЗ STGB19NC60KDT4 от STMicroelectronics представляет собой IGBT-транзистор с монтажом SMT. Устройство обладает током коллектора 20 А, напряжением коллектор-эмиттер 600 В и мощностью 125 Вт, что обеспечивает высокую эффективность в силовой электронике. Корпус D2PAK гарантирует удобство установки и надежность. Область применения включает преобразователи, инверторы и системы управления двигателями. Артикул STGB19NC60KDT4 подтверждает соответствие стандартам качества. Гарантия 12 месяцев.
Характеристики