* Изображения носят ознакомительный характер, внешний вид товара может отличаться.
Производитель |
STMicroelectronics |
Страна бренда |
Швейцария |
|
Категория
|
Полупроводниковый модуль |
|
Тип
|
БТИЗ |
|
Вид
|
IGBT |
|
Монтаж
|
SMT |
|
Ток коллектора, А
|
20 |
|
Корпус (Полупроводники)
|
D2PAK |
|
Напряжение коллектор-эмиттер, В
|
600 |
|
Мощность, Вт
|
125 |
|
Срок гарантии (мес.)
|
12 |
Артикул: STGB19NC60KDT4
Производитель: STMicroelectronics
Производитель: STMicroelectronics
IGBT модуль, 20А, 600В, 125Вт, с защитой от короткого замыкания
Все характеристики
Документация
140 руб.
/шт от 1 до 9 шт
140 руб./шт
от 10 до 99 шт
130.10 руб./шт
от 100 до 499 шт
128.79 руб./шт
от 500 до 999 шт
122.95 руб./шт
от 1000 шт
115.66 руб./шт
В корзину
На складе в Москве: 6 шт
Код для заказа:
4915288_17
Допоставка (внешние склады)
96.84 руб.
/шт от 1 до 9 шт
96.84 руб./шт
от 10 до 29 шт
78.64 руб./шт
от 30 до 99 шт
69.56 руб./шт
от 100 до 499 шт
60.97 руб./шт
от 500 до 999 шт
53.36 руб./шт
от 1000 шт
48.73 руб./шт
Допоставка: 1879 шт за 4 недели
Код для заказа:
748291_39
Описание
Полупроводниковый модуль БТИЗ STGB19NC60KDT4 от STMicroelectronics представляет собой IGBT-транзистор с монтажом SMT. Устройство обладает током коллектора 20 А, напряжением коллектор-эмиттер 600 В и мощностью 125 Вт, что обеспечивает высокую эффективность в силовой электронике. Корпус D2PAK гарантирует удобство установки и надежность. Область применения включает преобразователи, инверторы и системы управления двигателями. Артикул STGB19NC60KDT4 подтверждает соответствие стандартам качества. Гарантия 12 месяцев.
Характеристики