* Изображения носят ознакомительный характер, внешний вид товара может отличаться.
Производитель |
IXYS |
Страна бренда |
США |
|
Категория
|
Транзистор |
|
Тип
|
модуль |
|
Вид (Полупроводники)
|
MOSFET |
|
Монтаж
|
винтами |
|
Ток стока, А
|
53 |
|
Корпус (Полупроводники)
|
SOT227B |
|
Напряжение сток-исток, В
|
800 |
|
Мощность, Вт
|
1040 |
|
Срок гарантии (мес.)
|
6 |
Артикул: IXFN60N80P
Производитель: IXYS
Производитель: IXYS
Модуль, одиночный транзистор, 800В, 53А, SOT227B, Ugs: ±30В, 1040Вт
Все характеристики
Документация
6 915.94 руб.
/шт от 2 до 2 шт
6 915.94 руб./шт
от 3 до 4 шт
6 589.88 руб./шт
от 5 шт
6 248.22 руб./шт
В корзину
Допоставка: 300 шт за 26 недель
Мин. к-во: 2 шт
Код для заказа:
8206375_52
Допоставка (внешние склады)
7 506.91 руб.
/шт от 1 до 2 шт
7 506.91 руб./шт
от 3 шт
7 094.68 руб./шт
Допоставка: 1 шт за 3 недели
Код для заказа:
3985274_47
7 702.73 руб.
/шт от 10 до 49 шт
7 702.73 руб./шт
от 50 шт
7 279.27 руб./шт
Допоставка: 10 шт за 3 недели
Мин. к-во: 10 шт
Кратность: 10 шт
Код для заказа:
3937126_47
Описание
Транзистор модуль IXFN60N80P от IXYS – это высококачественный MOSFET-транзистор, предназначенный для применения в современных электронных устройствах. Этот компонент характеризуется высокой мощностью и эффективностью, что делает его идеальным выбором для различных областей применения, включая силовую электронику, преобразователи частоты и системы управления моторами. Модель IXFN60N80P обладает превосходными характеристиками, включая низкое сопротивление в открытом состоянии и высокую способность к переключению, что обеспечивает эффективную работу устройства при минимальных потерях мощности. Используя IXFN60N80P в вашем проекте, вы можете быть уверены в надежности и долговечности конечного продукта.
Характеристики