Контактная информация
Будни: 09:00-18:30 МСК

IXFN200N10P Модуль MOSFET

Производитель
IXYS
Страна бренда
США
Категория
Транзистор
Тип
модуль
Вид
MOSFET
Монтаж
винтами
Ток стока, А
200
Корпус (Полупроводники)
SOT227B
Напряжение сток-исток, В
100
Мощность, Вт
680
Срок гарантии (мес.)
6
Артикул: IXFN200N10P
Производитель: IXYS
Модуль, одиночный транзистор, 100В, 200А, SOT227B, Ugs: ±30В, 680Вт
3 672.67 руб.
/шт
от 10 до 49 шт
3 672.67 руб./шт
от 50 шт
3 470.73 руб./шт
В корзину
Допоставка: 10 шт за 4 недели
Мин. к-во: 10 шт Кратность: 10 шт
Код для заказа: 4322837_47
Допоставка (внешние склады)
3 956.47 руб.
/шт
от 1 до 2 шт
3 956.47 руб./шт
от 3 до 14 шт
3 839.17 руб./шт
от 15 шт
3 644.34 руб./шт
В корзину
Допоставка: 1 шт за 4 недели
Код для заказа: 4321940_47
4 424.91 руб.
/шт
от 1 до 9 шт
4 424.91 руб./шт
от 10 шт
3 114.96 руб./шт
В корзину
Допоставка: 624 шт за 6 недель
Код для заказа: 7045389_49
4 528.57 руб.
/шт
В корзину
Допоставка: 130 шт за 5 недель
Мин. к-во: 10 шт Кратность: 10 шт
Код для заказа: 3206879_157
Описание
Модуль транзистора IXYS IXFN200N10P — это мощный MOSFET-модуль с током стока 200 А и напряжением сток-исток 100 В, рассчитанный на мощность до 680 Вт. Монтаж осуществляется винтами, корпус выполнен в стандарте SOT227B. Область применения включает силовую электронику, инверторы и промышленные системы управления. Надежный модуль IXFN200N10P с гарантией 6 месяцев обеспечивает стабильную работу в demanding условиях.
Характеристики