* Изображения носят ознакомительный характер, внешний вид товара может отличаться.
Производитель |
IXYS |
Страна бренда |
США |
|
Категория
|
Транзистор |
|
Тип
|
модуль |
|
Вид
|
MOSFET |
|
Монтаж
|
винтами |
|
Ток стока, А
|
200 |
|
Корпус (Полупроводники)
|
SOT227B |
|
Напряжение сток-исток, В
|
100 |
|
Мощность, Вт
|
680 |
|
Срок гарантии (мес.)
|
6 |
Артикул: IXFN200N10P
Производитель: IXYS
Производитель: IXYS
Модуль, одиночный транзистор, 100В, 200А, SOT227B, Ugs: ±30В, 680Вт
Все характеристики
Документация
3 668.66 руб.
/шт от 10 до 49 шт
3 668.66 руб./шт
от 50 шт
3 466.94 руб./шт
В корзину
Допоставка: 10 шт за 4 недели
Мин. к-во: 10 шт
Кратность: 10 шт
Код для заказа:
4322837_47
Допоставка (внешние склады)
4 087.57 руб.
/шт от 1 до 2 шт
4 087.57 руб./шт
от 3 до 14 шт
3 966.11 руб./шт
от 15 шт
3 765.73 руб./шт
Допоставка: 1 шт за 4 недели
Код для заказа:
4321940_47
Описание
Модуль транзистора IXYS IXFN200N10P — это мощный MOSFET-модуль с током стока 200 А и напряжением сток-исток 100 В, рассчитанный на мощность до 680 Вт. Монтаж осуществляется винтами, корпус выполнен в стандарте SOT227B. Область применения включает силовую электронику, инверторы и промышленные системы управления. Надежный модуль IXFN200N10P с гарантией 6 месяцев обеспечивает стабильную работу в demanding условиях.
Характеристики