IPD079N06L3GBTMA1

Транзистор полевой IPD079N06L3GBTMA1 от известного производителя INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. С током стока 50 А и напряжением сток-исток 60 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 79 Вт, обеспечивая при этом исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0079 Ом. Устройство заключено в надежный корпус PG-TO252-3, что обеспечивает его долговечность и стабильность в различных рабочих условиях. Применение IPD079N06L3GBTMA1 охватывает широкий спектр электронных схем, включая высокоэффективные преобразователи и управление двигателями. Обладая отличными характеристиками и качеством от INFINEON, этот транзистор является отличным выбором для профессиональных разработок.