* Изображения носят ознакомительный характер, внешний вид товара может отличаться.
Производитель |
TOSHIBA |
Страна бренда |
Япония |
|
Категория
|
Транзистор |
|
Тип
|
БТИЗ |
|
Вид (Полупроводники)
|
IGBT |
|
Ток коллектора, А
|
44 |
|
Корпус (Полупроводники)
|
TO3PN |
|
Напряжение коллектор-эмиттер, В
|
600 |
|
Мощность, Вт
|
115 |
|
Срок гарантии (мес.)
|
12 |
Артикул: GT50JR22
Производитель: TOSHIBA
Производитель: TOSHIBA
Транзистор: IGBT, 600В, 44А, 115Вт, TO3PN
Все характеристики
Документация
Допоставка (внешние склады)
Описание
Транзистор БТИЗ GT50JR22 от TOSHIBA – высокомощное IGBT устройство, предназначенное для эффективного управления электрическими нагрузками. С током коллектора 44 А и напряжением коллектор-эмиттер 600 В, этот транзистор способен обеспечить мощность до 115 Вт. Корпус TO3PN обеспечивает надежную механическую стабильность и упрощает монтаж. Использование GT50JR22 в вашей области применения значительно повышает эффективность и надежность системы управления электрическими процессами. Модель GT50JR22 подходит для широкого спектра приложений, от промышленного оборудования до силовой электроники.
Характеристики