Контактная информация
Будни: 09:00-18:30 МСК

GT50JR22 Транзистор IGBT

Производитель
TOSHIBA
Страна бренда
Япония
Категория
Транзистор
Тип
БТИЗ
Вид
IGBT
Ток коллектора, А
44
Корпус (Полупроводники)
TO3PN
Напряжение коллектор-эмиттер, В
600
Мощность, Вт
115
Срок гарантии (мес.)
12
Артикул: GT50JR22
Производитель: TOSHIBA
Транзистор: IGBT, 600В, 44А, 115Вт, TO3PN
170 руб.
/шт
от 1 до 9 шт
170 руб./шт
от 10 до 99 шт
164.01 руб./шт
от 100 до 499 шт
162.35 руб./шт
от 500 до 999 шт
155 руб./шт
от 1000 шт
145.80 руб./шт
В корзину
На складе в Москве: 47 шт
Код для заказа: 1113034_17
Допоставка (внешние склады)
142.63 руб.
/шт
В корзину
Допоставка: 1809 шт за 3-5 рабочих дней
Код для заказа: 996860_28
173.05 руб.
/шт
от 3 до 74 шт
173.05 руб./шт
от 75 до 124 шт
162.70 руб./шт
от 125 до 224 шт
155.81 руб./шт
от 225 до 449 шт
149.02 руб./шт
от 450 шт
142.34 руб./шт
В корзину
Допоставка: 5267 шт за 1 неделя
Мин. к-во: 3 шт
Код для заказа: 1142450_30
717.68 руб.
/шт
от 1 до 6 шт
717.68 руб./шт
от 7 до 12 шт
686.83 руб./шт
от 13 шт
663.72 руб./шт
В корзину
Допоставка: 257 шт за 4 недели
Код для заказа: 4279592_47
831.84 руб.
/шт
В корзину
Допоставка: 75 шт за 5 недель
Мин. к-во: 25 шт Кратность: 25 шт
Код для заказа: 3207396_157
983.14 руб.
/шт
от 25 до 124 шт
983.14 руб./шт
от 125 шт
853.40 руб./шт
В корзину
Допоставка: 75 шт за 4 недели
Мин. к-во: 25 шт Кратность: 25 шт
Код для заказа: 3937623_47
1 037.52 руб.
/шт
от 1 до 9 шт
1 037.52 руб./шт
от 10 до 24 шт
699.98 руб./шт
от 25 до 99 шт
610.29 руб./шт
от 100 шт
522.47 руб./шт
В корзину
Допоставка: 112 шт за 5 недель
Код для заказа: 27374_52
1 169.28 руб.
/шт
от 1 до 9 шт
1 169.28 руб./шт
от 10 до 49 шт
745.49 руб./шт
от 50 до 124 шт
720.60 руб./шт
от 125 до 249 шт
695.61 руб./шт
от 250 шт
655.40 руб./шт
В корзину
Допоставка: 42 шт за 5 недель
Код для заказа: 3669750_157
Описание
Транзистор БТИЗ GT50JR22 от TOSHIBA – высокомощное IGBT устройство, предназначенное для эффективного управления электрическими нагрузками. С током коллектора 44 А и напряжением коллектор-эмиттер 600 В, этот транзистор способен обеспечить мощность до 115 Вт. Корпус TO3PN обеспечивает надежную механическую стабильность и упрощает монтаж. Использование GT50JR22 в вашей области применения значительно повышает эффективность и надежность системы управления электрическими процессами. Модель GT50JR22 подходит для широкого спектра приложений, от промышленного оборудования до силовой электроники.
Характеристики