* Изображения носят ознакомительный характер, внешний вид товара может отличаться.
ONSEMI
Транзистор IGBT, 650В, 60А, 600Вт, TO3P
Подробности
430 руб.
/шт от 1 до 9 шт
430 руб./шт
от 10 до 99 шт
421.35 руб./шт
от 100 до 499 шт
417.27 руб./шт
от 500 до 999 шт
399.18 руб./шт
от 1000 шт
376.56 руб./шт
В корзину
На складе в Москве: 3 шт
Допоставка: по запросу
Рассчитать доставку
Вы заказали количество товара, больше чем есть в наличии, итоговая стоимость заказа может отличаться от указанной
Производитель |
ONSEMI |
Код товара |
FGA60N65SMD |
Документы
Описание
Транзистор БТИЗ FGA60N65SMD от ONSEMI - это высокомощное устройство с монтажом THT, предназначенное для работы в цепях с током коллектора до 60 А и напряжением коллектор-эмиттер до 650 В. Мощность данного транзистора достигает 600 Вт, что обеспечивает его надежную работу в различных областях применения. Вид IGBT транзистора в корпусе TO3P делает его идеальным выбором для силовой электроники. Модель FGA60N65SMD характеризуется высоким уровнем эффективности и надежности, что делает ее предпочтительным компонентом для разработчиков. Использование модели FGA60N65SMD обеспечивает высокую производительность и долговечность ваших проектов.
Характеристики
|
Категория
|
Транзистор |
|
Тип
|
БТИЗ |
|
Вид
|
IGBT |
|
Монтаж
|
THT |
|
Ток коллектора, А
|
60 |
|
Корпус
|
TO3P |
|
Напряжение коллектор-эмиттер, В
|
650 |
|
Мощность, Вт
|
600 |