* Изображения носят ознакомительный характер, внешний вид товара может отличаться.
Производитель |
ROYAL OHM |
Страна бренда |
Таиланд |
Категория
|
Резистор |
Тип
|
углеродистый |
Сопротивление
|
12 |
Ед.изм. сопротивления
|
кОм |
Рабочее напряжение макс. DC, В
|
200 |
Импульсное напряжение, В
|
400 |
Погрешность ±, %
|
5 |
Мощность, Вт
|
0.25 |
Монтаж
|
THT |
Размер, мм
|
1,85x3,5 |
Артикул: CFR0S4J0123A50
Производитель: ROYAL OHM
Производитель: ROYAL OHM
Резистор: углеродистый, THT, 12кОм, 0,25Вт, ±5%, d1,85x3,5мм
Все характеристики
Документация
4 руб.
/шт от 10 до 499 шт
4 руб./шт
от 500 до 999 шт
3.23 руб./шт
от 1000 до 4999 шт
3.19 руб./шт
от 5000 шт
2.91 руб./шт
В корзину
На складе в Москве: 509 шт
Мин. к-во: 10 шт
Кратность: 10 шт
Код для заказа: 1005947
Допоставка (внешние склады)
3.62 руб.
/шт от 100 до 499 шт
3.62 руб./шт
от 500 до 999 шт
2.55 руб./шт
от 1000 до 4999 шт
2.03 руб./шт
от 5000 до 14999 шт
1.35 руб./шт
от 15000 шт
1.19 руб./шт
Допоставка: 9800 шт за 5 недель
Мин. к-во: 100 шт
Кратность: 100 шт
Код для заказа: 1041272
Описание
Резистор углеродистый ROYAL OHM 1/4WS12K – это пассивный компонент с сопротивлением 12 кОм, погрешностью ±5%, монтажом THT, рабочим напряжением до 200 В и импульсным напряжением до 400 В. Мощность резистора составляет 0,25 Вт, а размеры – 1,85x3,5 мм.
Данный резистор предназначен для использования в электронных устройствах и аппаратуре, а также для производства печатных плат. Он прекрасно подходит для применения в системах управления, автоматизированных процессах и других сложных электронных системах.
Резистор углеродистый ROYAL OHM 1/4WS12K – это пассивный компонент с сопротивлением 12 кОм, погрешностью ±5%, монтажом THT, рабочим напряжением до 200 В и импульсным напряжением до 400 В. Мощность резистора составляет 0,25 Вт, а размеры – 1,85x3,5 мм.
Данный резистор предназначен для использования в электронных устройствах и аппаратуре, а также для производства печатных плат. Он прекрасно подходит для применения в системах управления, автоматизированных процессах и других сложных электронных системах.
Характеристики