* Изображения носят ознакомительный характер, внешний вид товара может отличаться.
Производитель |
WeEn Semiconductors |
Страна бренда |
Китай |
|
Категория
|
Диод |
|
Тип
|
тиристор |
|
Вид
|
симистор |
|
Монтаж
|
SMT |
|
Ток прямой макс., А
|
0.8 |
|
Обратное напряжение макс., В
|
600 |
|
Корпус (Полупроводники)
|
SC73, SOT223-3 |
|
Срок гарантии (мес.)
|
12 |
Артикул: BTA2008W-600D,135
Производитель: WeEn Semiconductors
Производитель: WeEn Semiconductors
Симистор: THT; 600В; 0,8А; SC-73 (SOT223)
Все характеристики
Документация
40 руб.
/шт от 1 до 9 шт
40 руб./шт
от 10 до 99 шт
30.18 руб./шт
от 100 до 499 шт
29.87 руб./шт
от 500 до 999 шт
28.52 руб./шт
от 1000 шт
26.83 руб./шт
В корзину
На складе в Москве: 79 шт
Код для заказа:
1112686_17
Допоставка (внешние склады)
50.71 руб.
/шт Допоставка: 2500 шт за 5 недель
Мин. к-во: 20 шт
Кратность: 20 шт
Код для заказа:
3667196_157
58.11 руб.
/шт от 20 до 999 шт
58.11 руб./шт
от 1000 до 1999 шт
55.69 руб./шт
от 2000 шт
53.82 руб./шт
Допоставка: 20 шт за 4 недели
Мин. к-во: 20 шт
Кратность: 20 шт
Код для заказа:
4277951_47
80.03 руб.
/шт от 1 до 9 шт
80.03 руб./шт
от 10 до 99 шт
63.24 руб./шт
от 100 до 499 шт
36.57 руб./шт
от 500 до 999 шт
26.86 руб./шт
от 1000 до 1999 шт
24.60 руб./шт
от 2000 до 3999 шт
22.60 руб./шт
от 4000 шт
20.43 руб./шт
Допоставка: 3696 шт за 5 недель
Код для заказа:
40837_52
Описание
Симистор BTA2008W-600D,135 от производителя WeEn Semiconductors представляет собой полупроводниковый прибор для управления переменным током, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 600 В и током до 0,8 А. Симистор обладает высокой устойчивостью к перегрузкам и помехам, а также возможностью работы без радиатора в условиях умеренных нагрузок, что делает его эффективным для применения в бытовой технике, системах управления освещением и регуляторах мощности. Поставляется в корпусе SC-73 (альтернативное обозначение SOT223), Поставляется в корпусе SOT-223, характеризующимся компактностью и простой установкой, что позволяет использовать его в условиях ограниченного пространства, на платах с высокой плотностью компоновки.
Характеристики