Производительные переключающие транзисторы SiC FET с UnitedSiC

22.05.2020
Производительные переключающие транзисторы SiC FET с UnitedSiC
Линейка высокопроизводительных транзисторов FET UNITEDSIC в каскадной конфигурации, выполненных по технологии SiC. В одном корпусе мы имеем оптимально подключенный транзистор JFET (SiC) с транзистором Si-MOSFET, благодаря чему получаем уникальный и удобный в приложениях переключающий каскад. С успехом может применяться в высокочастотных приложениях и жестких термических условиях, где могут заменить транзисторы MOSFET и IGBT.

Характеризуются:

  • низким сопротивлением в состоянии включения,
  • рабочей температурой даже до 175°C,
  • быстрым временем выключения,
  • низкой емкостью перехода,
  • обратным напряжением до 650В
  • низким внутренним термическим сопротивлением,
  • внутренней защитой ESD.

Типичные применения: двигательные драйверы, импульсные блоки питания, схемы корректировки коэффициента мощности, индукционные нагрузки, инверторы и преобразователи для солярных панелей.

Символ Описание
UF3C065030K3S Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 62A
UF3C065030K4S Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 62A
UF3C065040K3S Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 40A
UF3C065080K4S Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 23A
UJ3C065030B3 Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 47A
UJ3C065030K3S Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 62A
UJ3C065030T3S Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 62A
UJ3C065080B3 Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В
UJ3C065080K3S Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 23A
UJ3C065080T3S Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 23A

Подробнее

Производительные переключающие транзисторы SiC FET с UnitedSiC

Линейка высокопроизводительных транзисторов FET UNITEDSIC в каскадной конфигурации, выполненных по технологии SiC. В одном корпусе мы имеем оптимально подключенный транзистор JFET (SiC) с транзистором Si-MOSFET, благодаря чему получаем уникальный и удобный в приложениях переключающий каскад. С успехом может применяться в высокочастотных приложениях и жестких термических условиях, где могут заменить транзисторы MOSFET и IGBT. <p> Характеризуются: </p> <ul> <li>низким сопротивлением в состоянии включения,<br> </li> <li>рабочей температурой даже до 175°C,<br> </li> <li>быстрым временем выключения,<br> </li> <li>низкой емкостью перехода,<br> </li> <li>обратным напряжением до 650В<br> </li> <li>низким внутренним термическим сопротивлением,<br> </li> <li>внутренней защитой ESD.<br> </li> </ul> <p> Типичные применения: двигательные драйверы, импульсные блоки питания, схемы корректировки коэффициента мощности, индукционные нагрузки, инверторы и преобразователи для солярных панелей.<br> </p> <table> <tbody> <tr> <td> Символ </td> <td> Описание </td> </tr> <tr> <td> UF3C065030K3S </td> <td> Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 62A </td> </tr> <tr> <td> UF3C065030K4S </td> <td> Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 62A </td> </tr> <tr> <td> UF3C065040K3S </td> <td> Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 40A </td> </tr> <tr> <td> UF3C065080K4S </td> <td> Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 23A </td> </tr> <tr> <td> UJ3C065030B3 </td> <td> Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 47A </td> </tr> <tr> <td> UJ3C065030K3S </td> <td> Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 62A </td> </tr> <tr> <td> UJ3C065030T3S </td> <td> Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 62A </td> </tr> <tr> <td> UJ3C065080B3 </td> <td> Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В </td> </tr> <tr> <td> UJ3C065080K3S </td> <td> Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 23A </td> </tr> <tr> <td> UJ3C065080T3S </td> <td> Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; униполярный; каскадный; 650В; 23A </td> </tr> </tbody> </table>

2020-05-22

ООО 'Айтекс Компонент'
236006
Россия
Калининград
236006, г. Калининград, а/я 353
г. Калининград, п. Малое Исаково, ул. Балтийская, д. 16
8(495)739-09-95
Айтекс

Айтекс

Айтекс
Производительные переключающие транзисторы SiC FET с UnitedSiC

Производительные переключающие транзисторы SiC FET с UnitedSiC

Производительные переключающие транзисторы SiC FET с UnitedSiC

Возврат к списку

Оставить отзыв

               

Обратный звонок

Представьтесь, и наш менеджер Вам перезвонит.

Запрос товара

Наши менеджеры уточнят возможность и срок поставки, а также цену для запрашиваемой позиции и свяжутся с Вами.

ВНИМАНИЕ!

Вы положили в корзину товар, которого в данный момент нет в наличии на складе сайта DIP8.ru в Москве. Точный срок его поставки необходимо уточнять дополнительно: он может быть как небольшим (от одной недели), так и значительным (до нескольких месяцев). Вы можете оформить заказ, но не оплачивать его, пока мы не свяжемся с Вами для подтверждения заказа и не уточним срок поставки товара в Вашем заказе.