STGB19NC60KDT4

Характеристики

Код товара
STGB19NC60KDT4
Бренд
STMicroelectronics
Страна бренда
Швейцария
Категория
Полупроводниковый модуль
Тип
БТИЗ
Вид (Полупроводники)
IGBT
Монтаж
SMT
Ток коллектора, А
20
Корпус (Полупроводники)
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер, В
600
Мощность, Вт
125
Срок гарантии (мес.)
12
Артикул: STGB19NC60KDT4
Производитель: STMicroelectronics
Цена от: 39.08 руб
Наличие: доступно 3439 шт
IGBT модуль, 20А, 600В, 125Вт, с защитой от короткого замыкания
78.02 руб
/шт
от 1 до 9 шт
78.02 руб/шт
от 10 до 29 шт
63.41 руб/шт
от 30 до 99 шт
55.94 руб/шт
от 100 до 499 шт
48.70 руб/шт
от 500 до 999 шт
42.94 руб/шт
от 1000 шт
39.08 руб/шт
В корзину
Допоставка: 1717 шт за 3 недели
994.23 руб
/шт
от 1 до 9 шт
994.23 руб/шт
от 10 до 99 шт
668.14 руб/шт
от 100 до 499 шт
477.84 руб/шт
от 500 шт
426.46 руб/шт
В корзину
Допоставка: 861 шт за 6 недель
994.23 руб
/шт
от 1 до 9 шт
994.23 руб/шт
от 10 до 99 шт
668.14 руб/шт
от 100 до 499 шт
477.84 руб/шт
от 500 шт
426.46 руб/шт
В корзину
Допоставка: 861 шт за 6 недель

Описание

Полупроводниковый модуль БТИЗ STGB19NC60KDT4 от STMicroelectronics представляет собой IGBT-транзистор с монтажом SMT. Устройство обладает током коллектора 20 А, напряжением коллектор-эмиттер 600 В и мощностью 125 Вт, что обеспечивает высокую эффективность в силовой электронике. Корпус D2PAK гарантирует удобство установки и надежность. Область применения включает преобразователи, инверторы и системы управления двигателями. Артикул STGB19NC60KDT4 подтверждает соответствие стандартам качества. Гарантия 12 месяцев.