NLV32T-6R8J-PF Дроссель ферритовый

Характеристики

Код товара
NLV32T-6R8J-PF
Бренд
TDK
Страна бренда
Япония
Категория
Индуктивность
Тип
дроссель
Вид
ферритовый
Сопротивление
1.8
Добротность
30
Ед.изм. сопротивления
Ом
Индуктивность
6.8
Ед.изм. индуктивности
мкГн
Рабочий ток макс., А
0.18
Погрешность ±, %
5
Монтаж
SMD
Рабочая температура мин.,°C
-40
Рабочая температура макс., °C
105
Корпус, дюймы
1210
Срок гарантии (мес.)
12
Артикул: NLV32T-6R8J-PF
Производитель: TDK
Цена от: 3.38 руб
Наличие: доступно 3976 шт
Дроссель: ферритовый, SMD, 1210, 6,8мкГн, 180мА, 1,8Ом, Q: 30, ±5%
3.38 руб/шт
В корзину
Допоставка: 1150 шт  за 3-5 рабочих дней
7.21 руб
/шт
от 10 до 99 шт
7.21 руб/шт
от 100 до 299 шт
5.90 руб/шт
от 300 до 1999 шт
5.24 руб/шт
от 2000 до 3999 шт
4.68 руб/шт
от 4000 до 9999 шт
4.22 руб/шт
от 10000 шт
3.85 руб/шт
В корзину
Допоставка: 2700 шт за 3 недели
Мин. к-во: 10 шт Кратность: 10 шт
17.40 руб
/шт
от 10 до 99 шт
17.40 руб/шт
от 100 до 499 шт
14.33 руб/шт
от 500 шт
11.40 руб/шт
В корзину
Допоставка: 26 шт за 5 недель
Мин. к-во: 10 шт
19.08 руб
/шт
от 25 до 99 шт
19.08 руб/шт
от 100 до 249 шт
18.57 руб/шт
от 250 шт
17.85 руб/шт
В корзину
Допоставка: 25 шт за 3 недели
Мин. к-во: 25 шт Кратность: 25 шт
20.16 руб
/шт
от 25 до 99 шт
20.16 руб/шт
от 100 до 249 шт
18.78 руб/шт
от 250 до 499 шт
17.70 руб/шт
от 500 до 1249 шт
16.08 руб/шт
от 1250 шт
14.41 руб/шт
В корзину
Допоставка: 75 шт за 4 недели
Мин. к-во: 25 шт Кратность: 25 шт

Описание

Индуктивность дроссель NLV32T-6R8J-PF от TDK обладает превосходными характеристиками для современных высокотехнологичных устройств. С сопротивлением всего 1,8 Ом и индуктивностью 6,8 мкГн, этот компонент обеспечивает добротность 30 и допускает погрешность в 5%. Ферритовый корпус дросселя соответствует стандарту SMD монтажа и имеет размеры в дюймах 1 210. Максимальный рабочий ток составляет 0,18 А, что позволяет использовать его в широком диапазоне температур от -40 до 105 °C. Обеспечивая надежность и стабильность в работе, дроссель NLV32T6R8JPF отлично подходит для прецизионных электронных схем.