IXFN60N80P Модуль MOSFET

Характеристики

Код товара
IXFN60N80P
Бренд
IXYS
Страна бренда
США
Категория
Транзистор
Тип
модуль
Вид (Полупроводники)
MOSFET
Монтаж
винтами
Ток стока, А
53
Корпус (Полупроводники)
SOT227B
Напряжение сток-исток, В
800
Мощность, Вт
1040
Срок гарантии (мес.)
6
Артикул: IXFN60N80P
Производитель: IXYS
Цена от: 6 884.76 руб
Доступно к заказу: 3198 шт
Модуль, одиночный транзистор, 800В, 53А, SOT227B, Ugs: ±30В, 1040Вт
7 817.05 руб
/шт
от 2 до 2 шт
7 817.05 руб/шт
от 3 до 4 шт
7 310.38 руб/шт
от 5 шт
7 028.16 руб/шт
В корзину
Допоставка: 285 шт за 21 неделю
Мин. к-во: 2 шт
Допоставка (внешние склады)
7 988.24 руб
/шт
В корзину
Допоставка: 860 шт за 19 недель
Мин. к-во: 10 шт Кратность: 10 шт
9 787.61 руб
/шт
от 1 до 9 шт
9 787.61 руб/шт
от 10 до 99 шт
7 783.45 руб/шт
от 100 шт
6 884.76 руб/шт
В корзину
Допоставка: 599 шт за 6 недель
10 279.67 руб
/шт
от 1 до 9 шт
10 279.67 руб/шт
от 10 до 42 шт
8 328.14 руб/шт
от 43 до 99 шт
8 116.41 руб/шт
от 100 до 157 шт
7 450.68 руб/шт
от 158 шт
7 321.06 руб/шт
В корзину
Допоставка: 599 шт за 5 недель
10 984.97 руб
/шт
от 1 до 1 шт
10 984.97 руб/шт
от 2 до 4 шт
9 373.34 руб/шт
от 5 до 9 шт
8 987.04 руб/шт
от 10 до 19 шт
8 671.49 руб/шт
от 20 шт
8 427.11 руб/шт
В корзину
Допоставка: 855 шт за 20 недель

Описание

Транзистор модуль IXFN60N80P от IXYS – это высококачественный MOSFET-транзистор, предназначенный для применения в современных электронных устройствах. Этот компонент характеризуется высокой мощностью и эффективностью, что делает его идеальным выбором для различных областей применения, включая силовую электронику, преобразователи частоты и системы управления моторами. Модель IXFN60N80P обладает превосходными характеристиками, включая низкое сопротивление в открытом состоянии и высокую способность к переключению, что обеспечивает эффективную работу устройства при минимальных потерях мощности. Используя IXFN60N80P в вашем проекте, вы можете быть уверены в надежности и долговечности конечного продукта.