IXFN20N120P Модуль MOSFET

Характеристики

Код товара
IXFN20N120P
Бренд
IXYS
Страна бренда
США
Категория
Транзистор
Тип
модуль
Вид (Полупроводники)
MOSFET
Монтаж
винтами
Ток стока, А
20
Корпус (Полупроводники)
SOT227B
Напряжение сток-исток, В
1200
Мощность, Вт
595
Срок гарантии (мес.)
12
Артикул: IXFN20N120P
Производитель: IXYS
Цена от: 2 718.28 руб
Доступно к заказу: 17 шт
Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 20А, SOT227B, Ugs: ±40В, 595Вт
2 956.22 руб
/шт
от 1 до 2 шт
2 956.22 руб/шт
от 3 до 9 шт
2 757.84 руб/шт
от 10 шт
2 718.28 руб/шт
В корзину
Допоставка: 17 шт за 5 недель

Описание

Модуль транзистора IXFN20N120P от производителя IXYS представляет собой мощный MOSFET-модуль с током стока 20 А и напряжением сток-исток 1200 В. Область применения включает силовую электронику, инверторы и промышленные системы управления. Монтаж осуществляется винтами, корпус выполнен в формате SOT227B, что обеспечивает надежное крепление и эффективный теплоотвод. Модуль IXFN20N120P гарантирует стабильную работу при мощности до 595 Вт и поставляется с гарантией 12 месяцев.