IXFN20N120P Модуль MOSFET

Характеристики

Код товара
IXFN20N120P
Бренд
IXYS
Страна бренда
США
Категория
Транзистор
Тип
модуль
Вид (Полупроводники)
MOSFET
Монтаж
винтами
Ток стока, А
20
Корпус (Полупроводники)
SOT227B
Напряжение сток-исток, В
1200
Мощность, Вт
595
Срок гарантии (мес.)
12
Артикул: IXFN20N120P
Производитель: IXYS
Цена от: 2 411.81 руб
Наличие: доступно 651 шт
Модуль, одиночный транзистор, 1,2кВ, 20А, SOT227B, Ugs: ±40В, 595Вт
2 411.81 руб/шт
В корзину
Допоставка: 17 шт за 6 недель
Мин. к-во: 3 шт
2 449.42 руб
/шт
В корзину
Допоставка: 17 шт за 4 недели
Мин. к-во: 3 шт
2 638.48 руб
/шт
от 1 до 2 шт
2 638.48 руб/шт
от 3 шт
2 454.73 руб/шт
В корзину
Допоставка: 17 шт за 5 недель
7 675.17 руб
/шт
В корзину
Допоставка: 300 шт за 5 недель
Мин. к-во: 300 шт
8 179.27 руб
/шт
В корзину
Допоставка: 300 шт за 4 недели
Мин. к-во: 300 шт

Описание

Модуль транзистора IXFN20N120P от производителя IXYS представляет собой мощный MOSFET-модуль с током стока 20 А и напряжением сток-исток 1200 В. Область применения включает силовую электронику, инверторы и промышленные системы управления. Монтаж осуществляется винтами, корпус выполнен в формате SOT227B, что обеспечивает надежное крепление и эффективный теплоотвод. Модуль IXFN20N120P гарантирует стабильную работу при мощности до 595 Вт и поставляется с гарантией 12 месяцев.