Характеристики
Код товара |
IXFN200N10P |
Бренд |
IXYS |
Страна бренда |
США |
|
Категория
|
Транзистор |
|
Тип
|
модуль |
|
Вид (Полупроводники)
|
MOSFET |
|
Монтаж
|
винтами |
|
Ток стока, А
|
200 |
|
Корпус (Полупроводники)
|
SOT227B |
|
Напряжение сток-исток, В
|
100 |
|
Мощность, Вт
|
680 |
|
Срок гарантии (мес.)
|
6 |
Артикул: IXFN200N10P
Производитель: IXYS
Производитель: IXYS
Цена от: 2 390.06 руб
Наличие: доступно 1451 шт
Модуль, одиночный транзистор, 100В, 200А, SOT227B, Ugs: ±30В, 680Вт
3 767.42 руб
/шт от 10 до 49 шт
3 767.42 руб/шт
от 50 шт
3 560.20 руб/шт
В корзину
Допоставка: 130 шт за 3 недели
Мин. к-во: 10 шт
Кратность: 10 шт
4 311.62 руб
/шт от 1 до 9 шт
4 311.62 руб/шт
от 10 до 99 шт
3 145.18 руб/шт
от 100 шт
2 390.06 руб/шт
Допоставка: 749 шт за 6 недель
4 710.59 руб
/шт от 1 до 9 шт
4 710.59 руб/шт
от 10 шт
3 418.82 руб/шт
Допоставка: 572 шт за 6 недель
Описание
Модуль транзистора IXYS IXFN200N10P — это мощный MOSFET-модуль с током стока 200 А и напряжением сток-исток 100 В, рассчитанный на мощность до 680 Вт. Монтаж осуществляется винтами, корпус выполнен в стандарте SOT227B. Область применения включает силовую электронику, инверторы и промышленные системы управления. Надежный модуль IXFN200N10P с гарантией 6 месяцев обеспечивает стабильную работу в demanding условиях.