* Изображения носят ознакомительный характер, внешний вид товара может отличаться.
Характеристики
Код товара |
FP75R12KE3BOSA1 |
Бренд |
INFINEON |
Страна бренда |
Германия |
|
Категория
|
Транзистор |
|
Тип
|
модуль |
|
Вид (Полупроводники)
|
IGBT |
|
Монтаж
|
THT |
|
Ток коллектора, А
|
105 |
|
Напряжение коллектор-эмиттер, В
|
1200 |
|
Мощность, Вт
|
355 |
|
Срок гарантии (мес.)
|
12 |
Артикул: FP75R12KE3BOSA1
Производитель: INFINEON
Производитель: INFINEON
Цена от: 15 818.34 руб
Доступно к заказу: 26 шт
IGBT силовой модуль, 1200В, 105А, 355Вт
Все характеристики
Документация
20 076.26 руб
/шт от 2 до 9 шт
20 076.26 руб/шт
от 10 шт
15 818.34 руб/шт
В корзину
Допоставка: 19 шт за 4 недели
Мин. к-во: 2 шт
Допоставка (внешние склады)
32 804.04 руб
/шт от 1 до 1 шт
32 804.04 руб/шт
от 2 до 2 шт
31 567.46 руб/шт
от 3 до 3 шт
30 940.52 руб/шт
от 4 до 4 шт
30 364.79 руб/шт
от 5 шт
29 491.59 руб/шт
Допоставка: 7 шт за 1 неделю
Описание
Транзисторный модуль IGBT FP75R12KE3BOSA1 от производителя Infineon предназначен для монтажа в отверстия и обладает высокой мощностью 355 Вт. Модуль выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 1200 В и ток коллектора 105 А, обеспечивая надежность в силовой электронике. Область применения включает промышленные преобразователи и системы управления. Гарантия на модуль составляет 12 месяцев. Код товара FP75R12KE3BOSA1.