FP75R12KE3BOSA1 Модуль IGBT

Характеристики

Код товара
FP75R12KE3BOSA1
Бренд
INFINEON
Страна бренда
Германия
Категория
Транзистор
Тип
модуль
Вид (Полупроводники)
IGBT
Монтаж
THT
Ток коллектора, А
105
Напряжение коллектор-эмиттер, В
1200
Мощность, Вт
355
Срок гарантии (мес.)
12
Артикул: FP75R12KE3BOSA1
Производитель: INFINEON
Цена от: 12 687.94 руб
Наличие: доступно 40 шт
IGBT силовой модуль, 1200В, 105А, 355Вт
16 954.55 руб
/шт
от 1 до 9 шт
16 954.55 руб/шт
от 10 шт
12 687.94 руб/шт
В корзину
Допоставка: 32 шт за 6 недель
23 881.82 руб
/шт
от 1 до 1 шт
23 881.82 руб/шт
от 2 до 2 шт
23 428.81 руб/шт
от 3 до 3 шт
22 920.48 руб/шт
от 4 до 4 шт
22 309.85 руб/шт
от 5 шт
21 446.95 руб/шт
В корзину
Допоставка: 8 шт за 1 неделю

Описание

Транзисторный модуль IGBT FP75R12KE3BOSA1 от производителя Infineon предназначен для монтажа в отверстия и обладает высокой мощностью 355 Вт. Модуль выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 1200 В и ток коллектора 105 А, обеспечивая надежность в силовой электронике. Область применения включает промышленные преобразователи и системы управления. Гарантия на модуль составляет 12 месяцев. Код товара FP75R12KE3BOSA1.