FP35R12W2T4BOMA1 Модуль IGBT

Характеристики

Код товара
FP35R12W2T4BOMA1
Бренд
INFINEON
Страна бренда
Германия
Категория
Транзистор
Тип
модуль
Вид (Полупроводники)
IGBT
Монтаж
THT
Ток коллектора, А
35
Напряжение коллектор-эмиттер, В
1200
Мощность, Вт
215
Срок гарантии (мес.)
12
Артикул: FP35R12W2T4BOMA1
Производитель: INFINEON
Цена от: 3 078.19 руб
Наличие: доступно 175 шт
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A, 215Вт, THT
3 535.44 руб
/шт
от 1 до 2 шт
3 535.44 руб/шт
от 3 до 5 шт
3 403.14 руб/шт
от 6 до 14 шт
3 307.19 руб/шт
от 15 до 29 шт
3 194.08 руб/шт
от 30 шт
3 078.19 руб/шт
В корзину
Допоставка: 156 шт за 1 неделю
7 336.46 руб
/шт
от 1 до 3 шт
7 336.46 руб/шт
от 4 до 7 шт
7 044.18 руб/шт
от 8 шт
6 791.76 руб/шт
В корзину
Допоставка: 4 шт за 3 недели
7 695.65 руб
/шт
В корзину
Допоставка: 4 шт за 4 недели
7 865.13 руб
/шт
В корзину
Допоставка: 11 шт за 4 недели

Описание

Транзисторный модуль FP35R12W2T4BOMA1 от производителя INFINEON представляет собой IGBT-модуль для монтажа в отверстия. Устройство характеризуется током коллектора 35 А, напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и мощностью 215 Вт, что обеспечивает надежную работу в силовых электронных системах. Область применения модуля FP35R12W2T4BOMA1 охватывает преобразователи, инверторы и промышленные приводы. Гарантия на изделие составляет 12 месяцев.