FF100R12RT4HOSA1 Модуль IGBT

Характеристики

Код товара
FF100R12RT4HOSA1
Бренд
INFINEON
Страна бренда
Германия
Категория
Транзистор
Тип
модуль
Вид (Полупроводники)
IGBT
Монтаж
винтами
Ток коллектора, А
100
Напряжение коллектор-эмиттер, В
1200
Мощность, Вт
555
Срок гарантии (мес.)
12
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Производитель: INFINEON
Цена от: 6 593.91 руб
Наличие: доступно 134 шт
Модуль Trans IGBT N-CH 1200 В 100 А 555000 мВт 7-к
7 580 руб
/шт
от 1 до 9 шт
7 580 руб/шт
от 10 до 99 шт
7 499.96 руб/шт
от 100 шт
6 729.25 руб/шт
В корзину
На складе в Москве: 1 шт
6 593.91 руб
/шт
В корзину
Допоставка: 19 шт за 7 недель
7 454.82 руб
/шт
В корзину
Допоставка: 20 шт за 3 недели
13 899.53 руб
/шт
от 1 до 9 шт
13 899.53 руб/шт
от 10 до 22 шт
13 210.81 руб/шт
от 23 до 29 шт
12 959.07 руб/шт
от 30 шт
12 651.98 руб/шт
В корзину
Допоставка: 47 шт за 7 недель
14 677.55 руб
/шт
от 1 до 9 шт
14 677.55 руб/шт
от 10 до 21 шт
13 950.29 руб/шт
от 22 до 29 шт
13 696.64 руб/шт
от 30 шт
13 372.08 руб/шт
В корзину
Допоставка: 47 шт за 4 недели

Описание

Транзисторный модуль IGBT FF100R12RT4HOSA1 от производителя INFINEON предназначен для силовой электроники. Монтаж осуществляется винтами, номинальный ток коллектора составляет 100 А, напряжение коллектор-эмиттер — 1200 В, мощность — 555 Вт. Область применения включает инверторы, преобразователи и промышленные приводы. Гарантия на модуль FF100R12RT4HOSA1 составляет 12 месяцев.