Характеристики
Код товара |
FF100R12RT4HOSA1 |
Бренд |
INFINEON |
Страна бренда |
Германия |
|
Категория
|
Транзистор |
|
Тип
|
модуль |
|
Вид (Полупроводники)
|
IGBT |
|
Монтаж
|
винтами |
|
Ток коллектора, А
|
100 |
|
Напряжение коллектор-эмиттер, В
|
1200 |
|
Мощность, Вт
|
555 |
|
Срок гарантии (мес.)
|
12 |
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Производитель: INFINEON
Производитель: INFINEON
Цена от: 4 923.58 руб
Наличие: доступно 30 шт
Модуль Trans IGBT N-CH 1200 В 100 А 555000 мВт 7-к
6 155 руб
/шт от 1 до 9 шт
6 155 руб/шт
от 10 шт
4 923.58 руб/шт
В корзину
На складе в Москве: 1 шт
6 996.91 руб
/шт от 1 до 1 шт
6 996.91 руб/шт
от 2 до 2 шт
6 703.83 руб/шт
от 3 до 3 шт
6 464.36 руб/шт
от 4 до 6 шт
6 250.68 руб/шт
от 7 шт
6 008.10 руб/шт
Допоставка: 9 шт за 1 неделю
7 627.61 руб
/шт Допоставка: 20 шт за 3 недели
Описание
Транзисторный модуль IGBT FF100R12RT4HOSA1 от производителя INFINEON предназначен для силовой электроники. Монтаж осуществляется винтами, номинальный ток коллектора составляет 100 А, напряжение коллектор-эмиттер — 1200 В, мощность — 555 Вт. Область применения включает инверторы, преобразователи и промышленные приводы. Гарантия на модуль FF100R12RT4HOSA1 составляет 12 месяцев.