Характеристики
Код товара |
CFR0S4J0681A50 |
Бренд |
ROYAL OHM |
Страна бренда |
Таиланд |
|
Категория
|
Резистор |
|
Тип
|
углеродистый |
|
Сопротивление
|
680 |
|
Ед.изм. сопротивления
|
Ом |
|
Рабочее напряжение макс. DC, В
|
200 |
|
Импульсное напряжение, В
|
400 |
|
Погрешность ±, %
|
5 |
|
Мощность, Вт
|
0.25 |
|
Монтаж
|
THT |
|
Размер, мм
|
1,85x3,5 |
|
Срок гарантии (мес.)
|
12 |
Артикул: CFR0S4J0681A50
Производитель: ROYAL OHM
Производитель: ROYAL OHM
Цена от: 3.54 руб
Наличие: доступно 518 шт
Резистор: углеродистый, THT, 680Ом, 0,25Вт, ±5%, d1,85x3,5мм
4 руб
/шт от 1 до 9 шт
4 руб/шт
от 10 до 99 шт
3.98 руб/шт
от 100 до 499 шт
3.94 руб/шт
от 500 до 999 шт
3.76 руб/шт
от 1000 шт
3.54 руб/шт
В корзину
На складе в Москве: 518 шт
Описание
Резистор 1/4WS680R от производителя ROYAL OHM является углеродистым пассивным компонентом с сопротивлением 680 Ом и погрешностью ±5%. Резистор имеет монтаж THT, рабочее напряжение макс. DC 200 В, импульсное напряжение 400 В и мощность 0,25 Вт. Размер резистора составляет 1,85x3,5 мм.
Резистор 1/4WS680R от производителя ROYAL OHM может использоваться для предотвращения перенапряжения в электронных устройствах, а также для ограничения тока или напряжения. Он идеально подходит для использования в конструкциях освещения, автомобильной электронике, стабилизаторах напряжения, бытовых приборах, акустических системах и других электронных приложениях.
Резистор 1/4WS680R от производителя ROYAL OHM является углеродистым пассивным компонентом с сопротивлением 680 Ом и погрешностью ±5%. Резистор имеет монтаж THT, рабочее напряжение макс. DC 200 В, импульсное напряжение 400 В и мощность 0,25 Вт. Размер резистора составляет 1,85x3,5 мм.
Резистор 1/4WS680R от производителя ROYAL OHM может использоваться для предотвращения перенапряжения в электронных устройствах, а также для ограничения тока или напряжения. Он идеально подходит для использования в конструкциях освещения, автомобильной электронике, стабилизаторах напряжения, бытовых приборах, акустических системах и других электронных приложениях.