Характеристики
Код товара |
1SMB5919BT3G |
Бренд |
ONSEMI |
Страна бренда |
Китай |
|
Категория
|
Диод |
|
Тип
|
стабилитрон |
|
Монтаж
|
SMT |
|
Ток прямой макс., А
|
0.2 |
|
Корпус (Полупроводники)
|
DO214AA, SMB |
|
Напряжение стабилизации, В
|
5.6 |
|
Мощность, Вт
|
3 |
|
Срок гарантии (мес.)
|
12 |
Артикул: 1SMB5919BT3G
Производитель: ONSEMI
Производитель: ONSEMI
Цена от: 9.78 руб
Наличие: доступно 196079 шт
Диод: стабилитрон; SMD; 5,6В; 200мА; Ufmax: 1,5В; 3Вт; SMB (DO-214AA)
17 руб
/шт от 1 до 9 шт
17 руб/шт
от 10 до 99 шт
16.04 руб/шт
от 100 до 499 шт
15.88 руб/шт
от 500 до 999 шт
15.16 руб/шт
от 1000 шт
14.26 руб/шт
В корзину
На складе в Москве: 775 шт
9.78 руб
/шт Допоставка: 10 шт за 3-5 рабочих дней
13.16 руб
/шт от 2500 до 7499 шт
13.16 руб/шт
от 7500 шт
12.50 руб/шт
Допоставка: 40000 шт за 4 недели
Мин. к-во: 2500 шт
Кратность: 2500 шт
25.46 руб
/шт от 5 до 49 шт
25.46 руб/шт
от 50 до 149 шт
20.15 руб/шт
от 150 до 499 шт
17.85 руб/шт
от 500 до 2499 шт
13.54 руб/шт
от 2500 до 4999 шт
11.90 руб/шт
от 5000 шт
10.73 руб/шт
Допоставка: 17170 шт за 3 недели
Мин. к-во: 5 шт
Кратность: 5 шт
53.15 руб
/шт от 1 до 4 шт
53.15 руб/шт
от 5 до 9 шт
43.69 руб/шт
от 10 до 49 шт
38.14 руб/шт
от 50 до 99 шт
25.98 руб/шт
от 100 до 499 шт
22.22 руб/шт
от 500 до 999 шт
16.40 руб/шт
от 1000 шт
15.05 руб/шт
Допоставка: 13137 шт за 5 недель
53.79 руб
/шт от 1 до 9 шт
53.79 руб/шт
от 10 до 99 шт
35.86 руб/шт
от 100 до 499 шт
17.31 руб/шт
от 500 до 999 шт
16.97 руб/шт
от 1000 до 2499 шт
16.58 руб/шт
от 2500 шт
12.67 руб/шт
Допоставка: 124987 шт за 6 недель
Описание
Стабилитрон 1SMB5919BT3G от производителя ONSEMI представляет собой кремниевый диод, используемый для стабилизации напряжения в источниках питания и защитных цепях. Он имеет напряжение стабилизации 5,6 В и обладает высокой надежностью и низким динамическим сопротивлением. Поставляется в корпусе SMB (альтернативное обозначение DO-214AA), характеризующимся компактностью и хорошей способностью рассеивать тепло, что позволяет использовать его в условиях ограниченного пространства и на платах с высокой плотностью компоновки.