Добавлено 10.09.2015

Новые полупроводниковые приборы, такие  как  быстродействующие  диоды и транзисторы, IGBT-модули, запираемые тиристоры (GTO), твердотельные реле, получают все большее распространение в силовых устройствах,
поскольку дают возможность управлять большой мощностью при малых размерах и долговечны при работе в номинальных режимах. Но при этом возможность выдерживать перегрузки и перенапряжения у них гораздо меньше, чем у электромеханических устройств. В силовой цепи в случае короткого замыкания сверхтоки могут достигать десятков и даже сотен тысяч ампер– полупроводниковые же приборы могут выдерживать импульсы токов только в несколько тысяч ампер. В связи с этим во весь рост встает проблема защиты как самих полупроводниковых приборов, так и аппаратуры в целом...

Скачать вёрстку статьи в формате PDF >>